[转让] 铜铟镓硒薄膜的制备方法

专利类型:发明

合作方式:转让

出售价格: 面议

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专利附图

摘要

本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为:在硒气氛中,共蒸镓和铟,使硒、镓和铟沉积于衬底上;步骤二为:提高衬底温度,在硒气氛中,蒸发铜,使硒和铜沉积于衬底上;步骤三为:保持衬底温度,在硒气氛中,共蒸镓和铟,形成铜铟镓硒薄膜。步骤一与步骤三的共蒸时间的比值为5:1~7:1。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积,设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系,使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量,显著地改善各元素的梯度分布,减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷,提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗。

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